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碳化矽片密度 檢測介紹
目前影響碳化矽應用的主要因素是其高密度缺陷。碳化矽塊狀晶體中最常見缺陷被稱為微管。微管是空心的超級螺型位錯，其Burgers矢量沿著C軸。對微管的產生已經提出或者確定了許多原因。這些原因包括Si或者C夾雜物，邊界缺陷，及多型夾雜等。
碳化矽單晶片微管化學腐蝕試驗可利用熔融氫氧化鉀腐蝕法測定碳化矽單晶微管密度。
中科檢測可靠性實驗中心具備各種碳化矽單晶片微管的可靠性能試驗能力，為碳化矽單晶片微管提供專業的化學腐蝕試驗等服務。
碳化矽片密度 檢測方法
采用擇優化學腐蝕技術顯示微管缺陷，用光學顯微鏡或其他儀器（如掃描電子顯微鏡）觀察碳化矽單晶表麵的微管，計算單位麵積上微管的個數，即得到微管密度。
1）將腐蝕好的試樣置於光學顯微鏡載物台上，根據微管孔洞大小選取不同放大倍率。
2）觀察整個碳化矽單晶片表麵，確認微管形貌，記錄觀察視場內微管個數。記數視場的選擇有兩種，根據需要可選取：
a）依次觀察記錄整個碳化矽單晶片每個觀察視場內的微管個數；
b）選取觀察視場麵積及測量點，觀察視場麵積S不小於1 mm2。記錄每個視場的微管個數。
注：a）、b）兩種測試方法中推薦優選方法a）測試整個碳化矽單晶片的微管缺陷。
3）計算平均微管密度。
碳化矽片密度 檢測標準
GB/T 30868-2014 碳化矽單晶片微管密度的測定 化學腐蝕法
GB/T 14264半導體材料術語
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