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退火片 檢測介紹
退火片是在中性或還原氣氛中進行高溫退火而導致矽拋光片近表麵潔淨區內無晶體缺陷[包括晶體原生巴坑(COP)]的矽片。中科檢測開展退火片檢測服務，檢測報告具備CMA、CNAS資質。
退火片 檢測項目
1. 基本要求：生長方式、晶向、晶向偏離度、導電類型、摻雜劑、晶體中共摻雜 、電阻率、徑向電阻率變化、氧含量、徑向氧含量變化等
2. 幾何參數：厚度及允許偏差、總厚度變化、翹曲度、局部平整度
3. 表麵質量：局部光散體、劃傷總長度、霧、光澤度、表麵沾汙、其他缺陷
4. 表麵金屬含量：鈉、鋅、鈣、鎳等
5. 其他性能：氧化誘生缺陷、體金屬(鐵)含量、潔淨區寬度(DZ)、體微缺陷密度(BMD)
退火片 檢測標準
GB/T 26069-2022 矽單晶退火片
GB/T 1550 非本征半導體材料導電類型測試方法
GB/T 2828.1-2012 計數抽樣檢驗程序 第1部分按接收質量限(AQL)檢索的逐批檢驗抽樣計劃
GB/T 4058 矽拋光片氧化誘生缺陷的檢驗方法
GB/T 6616 半導體矽片電阻率及矽薄膜薄層電阻測試方法非接觸渦流法
GB/T 6624 矽拋光片表麵質量目測檢驗方法
GB/T 12962 矽單晶
GB/T 12965 矽單晶切割片和研磨片
GB/T 14264 半導體材料術語
GB/T 19921 矽拋光片表麵顆粒測試方法
GB/T 29504 300mm矽單晶
GB/T 29507 矽片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法
GB/T 29508 300 mm 矽單晶切割片和磨削片
GB/T 32280 矽片翹曲度和彎曲度的測試 自動非接觸掃描法
GB/T 39145 矽片表麵金屬元素含量的測定 電感耦合等離子體質譜法
YS/T28 矽片包裝
YS/T 679 非本征半導體中少數載流子擴散長度的測試表麵光電壓法
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