砷化镓檢測

砷化镓檢測

砷化镓是镓和砷兩種元素所合成的化合物，用來製作微波集成電路、紅外線發光二極管、半導體激光器和太陽電池等元件。
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砷化镓檢測 項目介紹

砷化镓（化學式：GaAs）是镓和砷兩種元素所合成的化合物，也是重要的IIIA族、VA族化合物半導體材料，用來製作微波集成電路、紅外線發光二極管、半導體激光器和太陽電池等元件。

砷化镓 檢測項目

檢測樣品：砷化镓外延片、單晶、晶片、載流子等。

檢測項目：外形尺寸、表麵質量、偏離度檢測、切口測試、電學性能檢測、載流子濃度測試、電阻率檢測、截麵電阻率不均勻性、遷移率測試、位錯密度、電學性能、導電類型、霍爾遷移率、電阻率檢測、位錯密度檢測等。


砷化镓 檢測標準

GB/T 8757-2006砷化镓中載流子濃度等離子共振測量方法

GB/T 8758-2006砷化镓外延層厚度紅外幹涉測量方法

GB/T 8760-2020砷化镓單晶位錯密度的測試方法

GB/T 11068-2006砷化镓外延層載流子濃度電容-電壓測量方法

GB/T 11093-2007液封直拉法砷化镓單晶及切割片

GB/T 11094-2020水平法砷化镓單晶及切割片

GB/T 20228-2021砷化镓單晶

GB/T 25075-2010太陽能電池用砷化镓單晶

SJ 3242-1989砷化镓外延片

SJ 20714-1998砷化镓拋光片亞損傷層的X射線雙晶衍射試驗方法

SJ/T 11497-2015砷化镓晶片熱穩定性的試驗方法


砷化镓 檢測流程


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